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新能源汽车和光伏,储能行业的发展,行业不断推出更高功率,更大电压的功率器件,其中第三代半导体中碳化硅芯片制作的MOS,IGBT等器件的需求越来越旺盛。
碳化硅器件最终将会被作为功率模组的一部分进行封装,而碳化硅芯片的稳定性至关重要,一颗碳化硅芯片的实效将会影响到整个模组的效能,所以目前针对碳化硅的晶圆级老化成为了一项必不可少的制程。
one touch测试:整片晶圆测试,提高测试速率。
高温测试:测试温度最高200℃,可以实时监控温度变化,满足探针卡在高温高压环境下无形变
特征
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Pin Count
one touch
Miin. Pad Pitch
350um
Min. pad size
80um
Alignment / Planarity
30um/60um
Test Life Time
2000 TDs
Probe Material
铍铜
C. Res.
5Ω
Max Voltage
3000V
Max Current
3A
Operating Temp
-20°C ~200 ℃