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新能源汽车和光伏，储能行业的发展，行业不断推出更高功率，更大电压的功率器件，其中第三代半导体中碳化硅芯片制作的MOS，IGBT等器件的需求越来越旺盛。
碳化硅器件最终将会被作为功率模组的一部分进行封装，而碳化硅芯片的稳定性至关重要，一颗碳化硅芯片的实效将会影响到整个模组的效能，所以目前针对碳化硅的晶圆级老化成为了一项必不可少的制程。
one touch测试:整片晶圆测试，提高测试速率。
高温测试:测试温度最高200℃，可以实时监控温度变化，满足探针卡在高温高压环境下无形变
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