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随着Nand Flash和DRAM等存储类芯片的的演进发展,其晶圆测试需要更高的效率和更低的成本,为此开发 FullTouch™针卡系列,旨在协助客户在最低的平均成本下完成FWC (Full Wafer Contact)测试
FullTouch™系列满足于200mm和300mm的Memory Device测试,以大面积的一次性接触测试提高测试效率和时间,使用微机电系统技术制造的MEMS探针,利用全自动激光焊接技术准确地将至多150, 000根针焊接于MLC上,应用于Nand Flash/DRAM 的大面积快速测试需求。
FullTouch™系列拥有极低的划痕和落尘量,可以极大协助提高Wafer Yield
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Pad Pitch
>80um
Speed
<8Gbps
Para
1400 Para
Pin Count
<150,000
C.C.C
800mA (Customizable)
Pin Force
~2.5gf@OD 60um
Temp.
-20°C~130°C
Alignment
3um
Planarity
±10um
Tip Material
Rh / Ni